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1.画出NMOS的特性曲线(指明饱和区,截至区,线性区,击穿区和C-V曲线)

2.2.2um工艺下,Kn=3Kp,设计一个反相器,说出器件尺寸。

3.说出制作N-well的工艺流程。

4.雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。

5.用CMOS画一个D触发器(clk,d,q,q-)。

 

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